最大电源电压：  6 V

最大工作温度范围：  -55 ℃ ～ 125 ℃ 

最大存储温度范围：  -60 ℃ ～ 150 ℃ 

注意：超过以上数值的工作环境将对芯片造成永久的损害。以上数值的工作环境仅为极限条件。长时间工作在以上条件将有可能降低芯片的可靠性。

由于该 ASIC 集成了各种可调功能，因此在与表头匹配时，需要对相应的寄存器进行软写或者硬写操作。 该芯片推荐使用 Labview 软件进行参数匹配，图 3 是我司推荐的界面，相关寄存器说明见表 3、4、5、6。建 议调试硬写操作见 附 A。

表 3 ZW-GY113-01BL 寄存器说明（参数配置）

表 4 ZW -GY113 GY113GY113 -01BL 01BL寄存器说明（ 数字校正 ）

表 5 ZW -GY113 GY113GY113 -01BL 01BL寄

表 6 ZW-GY113-01BL 寄存器说明（数据采集配置）

表 2 ZW-CA10B-01BL 寄存器说明

SPI 数据采集

SPI 协议

ZW-GY113-01BL 采用标准 4 线 SPI 接进行通信，从模式运行。CSN 设置为低，初始化通信，MOSI 和 MISO 数据变化必须同步于 SCK 下降沿，主从采样必须同步于 SCK 的上升沿。支持最大时钟速率 20MHz。 ZW-GY113-01BL 内部寄存器读写格式如图 4、5 所示。第一 Byte 的最高位为读写标志位，‘1’表示 接下来为读操作，‘0’表示接下来为写操作，第一 Byte 的低 7 位为地址位，对应表 2 寄存器表。

数据采集

ZW-GY113-01BL 默认数据格式为：DRDY(1bit)+AR(24bits)+ERR(1bit)+TEMP(14bits)+FLG(8bits)。 当寄存器 READ_DATAONLY（ REGL5E[7]）配置为 1 时，只输出 24bits 角速率数据，数据格式为：AR(24bits)。

采集数据时，上位机要先发送 0XD1 命令，再采集数据。有两种数据采集模式：Normal 模式和 SYNC 模 式，如图 6、7 所示。

芯片默认数据采集模式时 Normal 模式。图 6 为 Normal 采集数据时序。当内部数据更新时，DRDY 置为 ‘1’，当数据被 SPI 采集后，DRDY 置为‘0’直至新的数据被更新，DRDY 再次被置为‘1’。DRDY 在数 据中的具体位置，受寄存器 READ_DATAONLY 控制，当 READ_DATAONLY=1 时，DRDY 在数据的第 25 位， 默认 READ_DATAONLY=0 时，DRDY 在数据的第 1 位。

随机采集模式时，为避免数据丢失，建议 SPI 的采集速率略高于 ZW-GY113-01BL 配置的数据输出速 率，可通过 DRDY 有效的去掉冗余数据。。

配置寄存器 SYNC_EN=1，芯片进入 SYNC 模式。图 7 为 SYNC 模式采集数据时序，采用下降沿同步数 据。SYNC 引脚下降沿锁定数据，DRDY 置为‘1’，当数据被 SPI 采集后，DRDY 置为‘0’直至新的同步沿 到来，数据再次更新，DRDY 再次置为‘1’。

SYNC 模式采集模式时，可通过加载速率匹配的同步信号与 SPI 采集信号，以避免数据的丢失或冗余。

低通滤波器

ZW-GY113-01BL 集成低通滤波器，低通滤波器由 3 阶 butterworth 滤波器和平均滤波器串联组成。可以 通过配置寄存器设置低通滤波器带宽，具体配置关系见表 6 ZW-GY113-01BL 寄存器说明（数据采集配置）。

附 A 软、硬写 操：

A.1 软写 调试

(1)芯片上电，电流18mA左右，将进入写模式，运行labview程序，点击图4界面中的【软写】、【自校准CB】 (2)根据需求，对照第表3、4中的寄存器说明，调节相应的参数。 （3）见表5所述，可通过写临时寄存器监测内部信号。 注：软写模式下，断电后写入的数据就没有了。要在软写模式下测试，写入后需要一直保持上电状态，但烧写器可以去掉。

A.2 硬写

若想将软写调试好的参数固化在芯片里，需要对芯片进行硬写操作（写 OTP）。操作步骤如下：

（1） 运行 labview 程序，点击图 4 界面中的【硬写】，即可完成硬写操作。

（2） 点击硬写后可点击【读取】，检测是否写入正确的值。也可不进行读取。

（3） 断开 VPP 接的 7.7V 电压，重新上电后测试芯片输出，硬写过程完成。

注：

(1) ※ 软写（可反复擦除寄存器）时，进入软写测试模式。

(2)※ 硬写（烧写 OTP，参数固化）时，需要给 VPP 输入 7.7V 电压，进行硬写模式。

(3)※ 工作模式下， MODES 拉高到 5V，可进入模拟输出模式；拉低至低，可进入数 字输出模式。

(4)※ 硬写前一定要点击【自校准使能】

温度补偿参数计算

ZW-GY113-01BL 3 阶温度补偿参数计算如下所述：

将整器件置于温箱，采用温度循环或者定点方式测试零偏、刻度因子与温度的关系。零偏数据记为 K0 （24bit 有符号数），温度记为 TEMP（14bit 有符号数），刻度因子记为 K1（24bit 有符号数）。将上述三组数 据保存为正负十进制数，并对其进行扩位运算；

K0_30bit = K0 * 2^6;

K1_30bit = K1 * 2^6，找出 25℃(14bit 温度输出为 0)时的刻度因子 K1_25；

Temp_20bit = TEMP * 2^6;

以上数据中零偏、刻度因子的数据与温度点一一对应，按照以下公式，进行 3 阶拟合，并计算出补偿参数：

p1=polyfit(Temp_20bit,K0_30bit,3)；

p2=polyfit(Temp_20bit,K1_25/K1_30bit,3)；

BIAS1= dec2hex(round(p1(1)*2^59)));

BIAS2= dec2hex(round(p1(2)*2^38) );

BIAS3= dec2hex(round(p1(3)*2^19) );

BIAS4= dec2hex(round(p1(4)) );

SF1= dec2hex(round(p2(1)*2^85));

SF2= dec2hex(round(p2(2)*2^66) );

SF3= dec2hex(round(p2(3)*2^47));

SF4= dec2hex(round(p2(4)*2^28));